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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF6668TRPBF
Code Commande2579988RL
Gamme de produitHEXFET
Egalement appeléSP001551178
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds80V
Courant de drain Id55A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.015ohm
Type de boîtier de transistorDirectFET MZ
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4.9V
Dissipation de puissance89W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitHEXFET
Qualification-
Produits de remplacement pour IRF6668TRPBF
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
55A
Type de boîtier de transistor
DirectFET MZ
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
89W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
80V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.015ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4.9V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Mexico
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000426
Traçabilité des produits