IRF640NSTRLPBF
MOSFET de puissance, Canal N, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.480 |
| 10+ | CHF 0.986 |
| 50+ | CHF 0.883 |
| 100+ | CHF 0.781 |
| 250+ | CHF 0.765 |
Informations produit
Aperçu du produit
L'IRF640NSTRLPBF est un MOSFET de puissance simple canal N. La cinquième génération HEXFET® utilise des techniques de traitement avancées pour obtenir une résistance à l'état passant extrêmement faible par zone de silicium. Cet avantage, combiné à la vitesse de commutation rapide et à la conception robuste du composant, permet un fonctionnement extrêmement efficace et fiable. Le boîtier est universellement préférée pour toutes les applications commerciales, industrielles avec des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50W.
- Process Technologie Avancée
- dV/dt dynamique
- Avalanche complète
- Facile à mettre en parallèle
- Nécessite un simple Driver
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
18A
TO-263AB
10V
150W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
200V
0.15ohm
Montage en surface
4V
3Broche(s)
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit