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IRF530NSTRLPBF

Name: INFINEON IRF530NSTRLPBF
Brand: INFINEON
SKU: 2467990
Availability: InStock

MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface

Date/Lot Code

Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.

FabricantINFINEON

Réf. FabricantIRF530NSTRLPBF

Code Commande2467990

Egalement appeléSP001563332

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Informations produit

FabricantINFINEON

Réf. FabricantIRF530NSTRLPBF

Code Commande2467990

Egalement appeléSP001563332

Fiche technique

Data Sheet

Type de canalCanal N

Tension Drain-Source Vds100V

Courant de drain Id17A

Résistance Drain-Source à l'état-ON0.09ohm

Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)

Montage transistorMontage en surface

Tension de test Rds(on)10V

Tension de seuil Vgs Max4V

Dissipation de puissance70W

Nbre de broches3Broche(s)

Température d'utilisation Max.175°C

Gamme de produit-

Qualification-

MSLMSL 1 - Illimité

SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)

Aperçu du produit

The IRF530NSTRLPBF is a HEXFET® single N-channel Power MOSFET utilizes advanced processing techniques to achieve extremely low ON-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design, provides an extremely efficient and reliable operation for use in a wide variety of applications. The surface-mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible ON-resistance in any existing surface-mount package. It is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up to 2W in a typical surface-mount application.

Advanced process technology
Ultra-low ON-resistance
Dynamic dV/dt rating
Fast switching
Fully avalanche rating

Spécifications techniques

Type de canal

Canal N

Courant de drain Id

17A

Type de boîtier de transistor

TO-263 (D2PAK)

Tension de test Rds(on)

10V

Dissipation de puissance

70W

Température d'utilisation Max.

175°C

Qualification

SVHC

No SVHC (21-Jan-2025)

Tension Drain-Source Vds

100V

Résistance Drain-Source à l'état-ON

0.09ohm

Montage transistor

Montage en surface

Tension de seuil Vgs Max

Nbre de broches

3Broche(s)

Gamme de produit

MSL

MSL 1 - Illimité

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Technical Data Sheet EN

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Législation et Questions environnementales

Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue

N° de tarif :85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme RoHS :Oui

RoHS

Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui

RoHS

SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)

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Certificat de conformité du produit

Poids (kg) :.00207

Traçabilité des produits