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IRF4905PBF
MOSFET de puissance, Canal P, 55 V, 74 A, 0.02 ohm, TO-220AB, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF4905PBF
Code Commande8648190
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001571330
Fiche technique
68’843 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 10+ | CHF 0.931 |
| 100+ | CHF 0.864 |
| 500+ | CHF 0.750 |
| 1000+ | CHF 0.723 |
| 5000+ | CHF 0.696 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIRF4905PBF
Code Commande8648190
Gamme de produitHEXFET Series
Egalement appeléSP001571330
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds55V
Courant de drain Id74A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.02ohm
Type de boîtier de transistorTO-220AB
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance200W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitHEXFET Series
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
L'IRF4905PBF est un MOSFET de puissance HEXFET, canal P, simple, -55V dans un boîtier TO-220AB. Ce MOSFET est doté d'une très faible résistance à l'état passant par zone de silicium entièrement mise en avalanche et dispose d'une commutation rapide, robuste et dynamique dv/dt. Ce MOSFET de puissance est reconnu pour offrir un rendement et une fiabilité très élevés lui permettant d'être utilisé dans une large gamme d'applications.
- Tension drain à source (Vds) de -55V
- Tension Grille-Source de ±20V
- Résistance à l'état passant Rds(on) de 20mohm à Vgs de -10V
- Dissipation de puissance (Pd) 200W à 25°C
- Courant de drain continu (Id) de -74A à Vgs 10V et 25°C
- Température d'utilisation de -55°C à 175°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
74A
Type de boîtier de transistor
TO-220AB
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
200W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
55V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.02ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
4V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
HEXFET Series
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002041