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IPP180N10N3GXKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 100 V, 43 A, 0.0155 ohm, TO-220, Traversant
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP180N10N3GXKSA1
Code Commande2443405
Gamme de produitOptiMOS
Egalement appeléIPP180N10N3 G, SP000683090
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds100V
Courant de drain Id43A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0155ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.7V
Dissipation de puissance71W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
43A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
71W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
100V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0155ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003184
Traçabilité des produits