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IPP048N12N3GXKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 120 V, 100 A, 0.0041 ohm, TO-220, Traversant
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP048N12N3GXKSA1
Code Commande2480848
Egalement appeléIPP048N12N3 G, SP000652734
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.520 |
| 10+ | CHF 3.490 |
| 100+ | CHF 1.880 |
| 500+ | CHF 1.690 |
| 1000+ | CHF 1.600 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP048N12N3GXKSA1
Code Commande2480848
Egalement appeléIPP048N12N3 G, SP000652734
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0041ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0041ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPP048N12N3GXKSA1
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002008
Traçabilité des produits