Imprimer la page
IPP029N06NAKSA1
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 100 A, 0.0027 ohm, TO-220, Traversant
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP029N06NAKSA1
Code Commande2443443
Egalement appeléIPP029N06N, SP000917404
Fiche technique
Modèle non fabriqué
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPP029N06NAKSA1
Code Commande2443443
Egalement appeléIPP029N06N, SP000917404
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0027ohm
Type de boîtier de transistorTO-220
Montage transistorTraversant
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance136W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSLMSL 1 - Illimité
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Produits de remplacement pour IPP029N06NAKSA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IPP029N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TO-220
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
136W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0027ohm
Montage transistor
Traversant
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.003184