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IPG20N06S4L11ATMA1
MOSFET double, Canal N, 60 V, 60 V, 20 A, 20 A, 0.0095 ohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S4L11ATMA1
Code Commande2725855RL
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Egalement appeléIPG20N06S4L-11, SP000705550
Fiche technique
22’658 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.821 |
| 500+ | CHF 0.612 |
| 1000+ | CHF 0.579 |
| 5000+ | CHF 0.487 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 87.10 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S4L11ATMA1
Code Commande2725855RL
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
Egalement appeléIPG20N06S4L-11, SP000705550
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain Source Vds, Canal N60V
Tension drain source Vds, Canal P60V
Courant de drain continu Id, Canal N20A
Courant de drain continu Id, Canal P20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N0.0095ohm
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P0.0095ohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Nbre de broches8Broche(s)
Dissipation de puissance Canal P65W
Dissipation de puissance, Canal P65W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS T2 Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Transistor de puissance OptiMOS -T2
- Double canal N, niveau logique, mode d'amélioration
- Automobile AEC Q101 qualifié
- Température de fonctionnement 175°C
- Testé à 100% contre les avalanches
Avertissements
La demande du marché pour ce produit a entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent fluctuer. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension drain source Vds, Canal P
60V
Courant de drain continu Id, Canal P
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal P
0.0095ohm
Nbre de broches
8Broche(s)
Dissipation de puissance, Canal P
65W
Gamme de produit
OptiMOS T2 Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Tension Drain Source Vds, Canal N
60V
Courant de drain continu Id, Canal N
20A
Résistance Etat ON Drain Source, Canal N
0.0095ohm
Type de boîtier de transistor
TDSON
Dissipation de puissance Canal P
65W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000203