Imprimer la page
IPD60R2K0PFD7SAUMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 600 V, 3 A, 2 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R2K0PFD7SAUMA1
Code Commande3577359RL
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Egalement appeléIPD60R2K0PFD7S, SP004177934
Fiche technique
656 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison sous 1 à 2 jours ouvrables
Commandez avant 17h00 pour bénéficier de l’expédition standard
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.319 |
| 500+ | CHF 0.266 |
| 1000+ | CHF 0.227 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
CHF 36.90 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R2K0PFD7SAUMA1
Code Commande3577359RL
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Egalement appeléIPD60R2K0PFD7S, SP004177934
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds600V
Courant de drain Id3A
Résistance Rds(on)1.626ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON2ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max4V
Dissipation de puissance Pd20W
Dissipation de puissance20W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS PFD7 SJ
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
Aperçu du produit
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
600V
Résistance Rds(on)
1.626ohm
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
20W
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS PFD7 SJ
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
2ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
4V
Dissipation de puissance
20W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPD60R2K0PFD7SAUMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001
Traçabilité des produits