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IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 50 A, 0.0106 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50P04P4L11ATMA1
Code Commande2443434
Egalement appeléIPD50P04P4L-11, SP000671156
Fiche technique
120’844 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 1.190 |
| 50+ | CHF 0.836 |
| 100+ | CHF 0.650 |
| 500+ | CHF 0.551 |
| 1000+ | CHF 0.449 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50P04P4L11ATMA1
Code Commande2443434
Egalement appeléIPD50P04P4L-11, SP000671156
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id50A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0106ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.7V
Dissipation de puissance58W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Produits de remplacement pour IPD50P04P4L11ATMA1
8 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
L'IPD50P04P4L-11 est un MOSFET canal P à mode d'amélioration, niveau logique avec de faibles pertes de puissance de commutation et de conduction pour un rendement thermique optimal.
- Qualification AEC-Q101
- Refusion MSL1 jusqu'à 260°C
- Composant vert
- Test Avalanche 100%
- Aucune pompe de charge nécessaire pour un entraînement High Side
- Circuit de commande interface simple
- Le RDS le plus bas du monde (ON)
- Capacité de courant élevée
- Boîtiers robustes avec une qualité et une fiabilité supérieures
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
50A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
58W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0106ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.7V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.0003
Traçabilité des produits