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IPD25DP06LMATMA1
MOSFET de puissance, Canal P, 60 V, 6.5 A, 0.187 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
2’268 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.757 |
| 10+ | CHF 0.629 |
| 100+ | CHF 0.490 |
| 500+ | CHF 0.382 |
| 1000+ | CHF 0.310 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD25DP06LMATMA1
Code Commande3267844
Gamme de produitOptiMOS
Egalement appeléIPD25DP06LM, SP004987260
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id6.5A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.187ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max1.5V
Dissipation de puissance28W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
6.5A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
28W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.187ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004536
Traçabilité des produits