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IPD053N06NATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 45 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD053N06NATMA1
Code Commande2480816RL
Egalement appeléIPD053N06N, SP000962138
Fiche technique
23’410 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.533 |
| 500+ | CHF 0.527 |
| 1000+ | CHF 0.508 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD053N06NATMA1
Code Commande2480816RL
Egalement appeléIPD053N06N, SP000962138
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id45A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0053ohm
Type de boîtier de transistorTO-252 (DPAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance83W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The IPD053N06N is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- MSL1 rated
- 40% lower RDS (ON) than alternative devices
- 40% Improvement of FOM over similar devices
- 100% Avalanche tested
- Superior thermal resistance
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
45A
Type de boîtier de transistor
TO-252 (DPAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
83W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0053ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00143
Traçabilité des produits