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IPB60R125CPATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 25 A, 0.125 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R125CPATMA1
Code Commande1664016
Gamme de produitCoolMOS Series
Egalement appeléIPB60R125CP, SP000297368
Fiche technique
3’544 En Stock
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|---|---|
| 1+ | CHF 1.870 |
| 10+ | CHF 1.820 |
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| 500+ | CHF 1.720 |
| 1000+ | CHF 1.680 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R125CPATMA1
Code Commande1664016
Gamme de produitCoolMOS Series
Egalement appeléIPB60R125CP, SP000297368
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id25A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.125ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3.5V
Dissipation de puissance208W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitCoolMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IPB60R125CPATMA1 is a IPB60R125CP CoolMOS™ power transistor this CoolMOS™ CP is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Lowest figure-of-merit RONxQg
- Ultra-low gate charge
- Extreme dv/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 25A continuous drain current at TC = 25°C
- 82A pulsed drain current at TC = 25°C
- 208W power dissipation at TC = 25°C
- Operating and storage temperature range from -55 to 150°C
- Gate threshold voltage(V GS(th) ) of 3.5V
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
25A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
208W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.125ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3.5V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
CoolMOS Series
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00143
Traçabilité des produits