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IPB60R099CPATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 650 V, 31 A, 0.099 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R099CPATMA1
Code Commande1664014RL
Egalement appeléIPB60R099CP , SP000088490
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 3.110 |
| 500+ | CHF 2.970 |
| 1000+ | CHF 2.750 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R099CPATMA1
Code Commande1664014RL
Egalement appeléIPB60R099CP , SP000088490
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds650V
Courant de drain Id31A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.099ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance255W
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The IPB60R099CP is a 650V CoolMOS™ N-channel Power MOSFET features ultra-low gate charge. It is designed for hard switching and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV. It is specially designed for hard switching topologies for server and telecom.
- Low figure-of-merit(FOM) RON x Qg
- Extreme dV/dt rated
- High peak current capability
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Ultra low RDS (ON)
- Very fast switching
- Internal Rg very low
- High current capability
- Significant reduction of conduction and switching losses
- High power density and efficiency for superior power conversion systems
- Best-in-class performance ratio
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
31A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
255W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.099ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00143
Traçabilité des produits