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IPB036N12N3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 120 V, 180 A, 0.0036 ohm, TO-263 (D2PAK), Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB036N12N3GATMA1
Code Commande2212819
Egalement appeléIPB036N12N3 G, SP000675204
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.150 |
| 10+ | CHF 3.690 |
| 100+ | CHF 2.940 |
| 500+ | CHF 2.790 |
| 1000+ | CHF 2.280 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB036N12N3GATMA1
Code Commande2212819
Egalement appeléIPB036N12N3 G, SP000675204
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds120V
Courant de drain Id180A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0036ohm
Type de boîtier de transistorTO-263 (D2PAK)
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance300W
Nbre de broches7Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produit-
Qualification-
Aperçu du produit
The IPB036N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Environmentally friendly
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Qualified according to JEDE for target applications
- Halogen-free, Green device
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Normal level
- 100% Avalanche tested
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
180A
Type de boîtier de transistor
TO-263 (D2PAK)
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
300W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
120V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0036ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
7Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00181