Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R163M1HXTMA1
Code Commande3928610RL
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Egalement appeléSP005539187, IMBG65R163M1H
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 25 semaine(s)
Contactez-moi quand le produit sera à nouveau en stock
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
100+ | CHF 2.100 |
500+ | CHF 2.020 |
1000+ | CHF 1.750 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 215.00 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R163M1HXTMA1
Code Commande3928610RL
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Egalement appeléSP005539187, IMBG65R163M1H
Fiche technique
Configuration du module MOSFETSimple
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Courant de drain Id17A
Tension Drain-Source Vds650V
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.163ohm
Résistance Rds(on)0.163ohm
Type de boîtier de transistorTO-263
Nbre de broches7Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.5V
Dissipation de puissance Pd85W
Dissipation de puissance85W
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Simple
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
650V
Résistance Rds(on)
0.163ohm
Nbre de broches
7Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.5V
Dissipation de puissance
85W
Gamme de produit
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
17A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.163ohm
Type de boîtier de transistor
TO-263
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance Pd
85W
Température d'utilisation Max.
175°C
MSL
-
Documents techniques (1)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.001588
Traçabilité des produits