Imprimer la page
IGLR70R200D2SXUMA1
Transistor Nitrure de gallium (GaN), 700 V, 9.3 A, 0.24 ohm, 1.26 nC, TSON, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLR70R200D2SXUMA1
Code Commande4694674
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Egalement appeléIGLR70R200D2S, SP006123208
Fiche technique
215 En Stock
5’000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.160 |
| 10+ | CHF 1.380 |
| 100+ | CHF 0.935 |
| 500+ | CHF 0.786 |
| 1000+ | CHF 0.728 |
| 5000+ | CHF 0.621 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 2.16 (sans TVA)
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGLR70R200D2SXUMA1
Code Commande4694674
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Egalement appeléIGLR70R200D2S, SP006123208
Fiche technique
Tension Drain-Source Vds700V
Courant de drain Id9.3A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.24ohm
Charge de porte Typique1.26nC
Type de boîtier de transistorTSON
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches8Broche(s)
Gamme de produitCoolGaN G5 Series
Qualification0
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IGLR70R200D2SXUMA1 is a CoolGaN™ G5 highly efficient gallium nitride (GaN) transistor designed for power conversion at 700V. It enables higher power density, supports reduced system BOM cost, and facilitates miniaturized form factors. Produced using 200mm (8-inch) wafer technology and fully automated production lines, it features narrow production tolerances and the highest product quality. It is ideal for consumer applications like chargers, adapters, TV power, and home appliances.
- Qualified according to JEDEC standard, 2kV HBM ESD standards
- Enhancement mode transistor, ultra‑fast switching, no reverse‑recovery charge
- Capable of reverse conduction, low gate and output charge, superior commutation ruggedness
- Normally OFF transistor technology ensures safe operation
- Enables rapid and precise power delivery control
- Improves system efficiency and reliability
- Ensures robust performance under challenging conditions
- Drain‑source on‑state resistance is 0.2ohm typ at IG =7.1mA; ID =2.1A; Tj =25°C
- PG‑TSON‑8 package
- Operating junction temperature range from ‑40 to 150°C
Spécifications techniques
Tension Drain-Source Vds
700V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.24ohm
Type de boîtier de transistor
TSON
Nbre de broches
8Broche(s)
Qualification
0
Courant de drain Id
9.3A
Charge de porte Typique
1.26nC
Montage transistor
Montage en surface
Gamme de produit
CoolGaN G5 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits