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IDW10G120C5BFKSA1
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ, Double cathode commune, 1.2 kV, 34 A, 57 nC, TO-247
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| 100+ | CHF 3.090 |
| 500+ | CHF 2.670 |
| 1000+ | CHF 2.610 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDW10G120C5BFKSA1
Code Commande2709911
Gamme de produitthinQ
Egalement appeléIDW10G120C5B, SP001071786
Fiche technique
Gamme de produitthinQ
Configuration diodeDouble cathode commune
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen34A
Charge Capacitive Totale57nC
Type de boîtier de diodeTO-247
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
57nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Double cathode commune
Courant direct moyen
34A
Type de boîtier de diode
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002268
Traçabilité des produits