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IDK02G65C5XTMA2
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ Gen V Series, Une, 650 V, 2 A, 4 nC, TO-263 (D2PAK)
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDK02G65C5XTMA2
Code Commande3625452
Gamme de produitthinQ Gen V Series
Egalement appeléIDK02G65C5, SP001633208
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.888 |
| 100+ | CHF 0.656 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDK02G65C5XTMA2
Code Commande3625452
Gamme de produitthinQ Gen V Series
Egalement appeléIDK02G65C5, SP001633208
Fiche technique
Gamme de produitthinQ Gen V Series
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive650V
Courant direct moyen2A
Charge Capacitive Totale4nC
Type de boîtier de diodeTO-263 (D2PAK)
Nbre de broches3 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeMontage en surface
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
thinQ Gen V Series
Tension inverse crête répétitive
650V
Charge Capacitive Totale
4nC
Nbre de broches
3 broches
Type de montage de diode
Montage en surface
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
2A
Type de boîtier de diode
TO-263 (D2PAK)
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.002268
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