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IDH02G120C5XKSA1
Diode Schottky carbure de silicium, thinQ!™, Une, 1.2 kV, 11.8 A, 14 nC, TO-220
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH02G120C5XKSA1
Code Commande2564810
Egalement appeléIDH02G120C5, SP001079720
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.790 |
| 10+ | CHF 1.750 |
| 100+ | CHF 0.961 |
| 500+ | CHF 0.844 |
| 1000+ | CHF 0.820 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIDH02G120C5XKSA1
Code Commande2564810
Egalement appeléIDH02G120C5, SP001079720
Fiche technique
Gamme de produit-
Configuration diodeUne
Tension inverse crête répétitive1.2kV
Courant direct moyen11.8A
Charge Capacitive Totale14nC
Type de boîtier de diodeTO-220
Nbre de broches2 broches
Température d'utilisation Max.175°C
Type de montage de diodeTraversant
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Gamme de produit
-
Tension inverse crête répétitive
1.2kV
Charge Capacitive Totale
14nC
Nbre de broches
2 broches
Type de montage de diode
Traversant
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Configuration diode
Une
Courant direct moyen
11.8A
Type de boîtier de diode
TO-220
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :1.360776
Traçabilité des produits