Imprimer la page
F3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
MOSFET en carbure de silicium, Onduleur à trois niveaux, Canal double N, 100 A, 1.2 kV, 8.1 mohm
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Code Commande3994943
Gamme de produitEasyPACK CoolsiC Series
Egalement appeléSP005562921, F3L8MR12W2M1HP_B11
Fiche technique
50 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 108.360 |
| 5+ | CHF 103.690 |
| 10+ | CHF 99.010 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 108.36 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantF3L8MR12W2M1HPB11BPSA1
Code Commande3994943
Gamme de produitEasyPACK CoolsiC Series
Egalement appeléSP005562921, F3L8MR12W2M1HP_B11
Fiche technique
Configuration du module MOSFETOnduleur à trois niveaux
Type de canalCanal double N
Courant de drain Id100A
Tension Drain-Source Vds1.2kV
Résistance Drain-Source à l'état-ON8.1mohm
Type de boîtier de transistorModule
Nbre de broches32Broche(s)
Tension de test Rds(on)18V
Tension de seuil Vgs Max4.3V
Dissipation de puissance20mW
Température d'utilisation Max.125°C
Gamme de produitEasyPACK CoolsiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Configuration du module MOSFET
Onduleur à trois niveaux
Courant de drain Id
100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
8.1mohm
Nbre de broches
32Broche(s)
Tension de seuil Vgs Max
4.3V
Température d'utilisation Max.
125°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Type de canal
Canal double N
Tension Drain-Source Vds
1.2kV
Type de boîtier de transistor
Module
Tension de test Rds(on)
18V
Dissipation de puissance
20mW
Gamme de produit
EasyPACK CoolsiC Series
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Hungary
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.01
Traçabilité des produits