CY7C199D-10VXIT

La CY7C199D-10VXIT est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 32 768 mots par 8 bits. L'extension facile de la mémoire est assurée par une activation chip-enable bas (CE), une activation chip-enable sortie bas (OE) et des pilotes trois états. Ce circuit dispose d'une fonction de mise hors tension automatique, réduisant la consommation d'énergie lorsqu'elle est désélectionnée. Les broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O7) sont placées dans un état d'impédance haute lorsque le périphérique est désélectionné (actif-bas CE HIGH), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HIGH) ou pendant une opération d'écriture (actif-bas CE LOW et actif-bas WE LOW). Écrivez sur le périphérique en prenant les entrées d'activation de la puce (CE actif-bas) et d'activation d'écriture (WE actif-bas) BAS. La lecture à partir du composant s'effectue en prenant Chip-Enable (CE) actif à l'état bas et Output-Enable (OE) actif à l'état bas) sur BAS tout en forçant l'activation de l'écriture (WE) actif à l'état bas sur HAUT. Le CY7C199D est un composant qui convient pour s'interfacer avec des processeurs dotés de niveaux d'E/S TTL.

• Brochage et fonctions compatibles avec les CY7C199C
• Vitesse élevée tAA = 10ns
• Courant ICC actif à l'état bas de 80mA à 10ns
• Faible consommation en veille CMOS ISB2 = 3mA
• Conservation des données 2,0V, tension nominale de 5V ±0,5V
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse/puissance optimales
• Entrées et sorties compatibles Transistor-Transistor Logic (TTL)
• Boîtier SOJ moulé, 28 broches
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C