CY7C10612G30-10ZSXI

La CY7C10612G30-10ZSXI est une RAM statique rapide CMOS hautes performances avec ECC intégré. Le circuit comprend une broche d'indication d'erreur qui signale un événement de détection et de correction d'erreur pendant un cycle de lecture Écrivez sur le périphérique en prenant les entrées d'activation de la puce (CE actif à l'état bas) et d'activation d'écriture (WE actif à l'état bas) BAS. La lecture à partir du composant s'effectue en prenant Chip-Enable (CE) actif à l'état bas et Output-Enable (OE) actif à l'état bas) sur BAS tout en forçant l'activation de l'écriture (WE) actif à l'état bas sur HAUT. Les broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque le périphérique est désélectionné (actif-bas CE HIGH), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HIGH), l'activation de l'octet haut et l'activation de l'octet bas sont désactivées (actif-bas BHE, actif-bas BLE HIGH) ou pendant une opération d'écriture (actif-bas CE LOW et actif-bas WE LOW).

• Code de correction d'erreur intégré (ECC) pour la correction d'erreur sur un seul bit
• Courant ICC actif à l'état bas de 90mA typique
• Faible courant de veille CMOS ISB2 est de 20mA typique
• Tension d'utilisation 3.3 ±0.3V
• Conservation des données à 1,0V
• Entrées et sorties compatibles Transistor-Transistor Logic (TTL)
• Broche ERR pour indiquer la détection et la correction d'erreurs sur 1 bit
• Vitesse élevée, tAA = 10ns
• Boîtier TSOP II, 54 broches
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C