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CY7C1049GN30-10ZSXIT
SRAM, 4 Mbit, 512Kword x 8 bits, 2,2V à 3.6V, TSOP-II-44
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantCY7C1049GN30-10ZSXIT
Code Commande4127889
Egalement appeléSP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
Fiche technique
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.190 |
| 10+ | CHF 4.700 |
| 25+ | CHF 4.600 |
| 50+ | CHF 4.340 |
| 100+ | CHF 4.240 |
| 250+ | CHF 4.130 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantCY7C1049GN30-10ZSXIT
Code Commande4127889
Egalement appeléSP005638221, CY7C1049GN30-10ZSXIT
Fiche technique
Type SRAMSRAM asynchrone
Taille mémoire4Mbit
Configuration Mémoire SRAM512Kword x 8 bits
Densité de mémoire4Mbit
Gamme de tension d'alimentation2.2V à 3.6V
Configuration mémoire512Kword x 8 bits
Type de boîtier de CI mémoireTSOP-II
IC Boîtier/PaquetTSOP-II
Nbre de broches44Broche(s)
Temps d'accès10ns
Tension, alimentation min.2.2V
Tension d'alimentation Max.3.6V
Tension d'alimentation nominale-
Fréquence d'horloge Max.-
Montage CIMontage en surface
Température d'utilisation min-40°C
Température d'utilisation Max.85°C
Gamme de produit-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
CY7C1049GN30-10ZSXIT is a CY7C1049GN high-performance CMOS fast static RAM device organized as 512K words by 8-bits. Data writes are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and write enable (WE) inputs LOW, while providing the data on I/O0 through I/O7 and address on A0 through A18 pins. Data reads are performed by asserting the chip enable active-low (CE) and output enable (OE) inputs LOW and providing the required address on the address lines. Read data is accessible on the I/O lines (I/O0 through I/O7).
- High speed is tAA = 10ns
- Low active and standby currents
- Active current: ICC = 38mA typical
- 1.0V data retention
- TTL-compatible inputs and outputs
- 2.2V to 3.6V voltage range
- 44-pin TSOP II package
- Industrial temperature range from –40°C to +85°C
- 65nm process technology
Spécifications techniques
Type SRAM
SRAM asynchrone
Configuration Mémoire SRAM
512Kword x 8 bits
Gamme de tension d'alimentation
2.2V à 3.6V
Type de boîtier de CI mémoire
TSOP-II
Nbre de broches
44Broche(s)
Tension, alimentation min.
2.2V
Tension d'alimentation nominale
-
Montage CI
Montage en surface
Température d'utilisation Max.
85°C
Normes Qualification Automobile
-
Taille mémoire
4Mbit
Densité de mémoire
4Mbit
Configuration mémoire
512Kword x 8 bits
IC Boîtier/Paquet
TSOP-II
Temps d'accès
10ns
Tension d'alimentation Max.
3.6V
Fréquence d'horloge Max.
-
Température d'utilisation min
-40°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
N° de tarif :85423245
US ECCN:3A991.b.2.a
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :À déterminer
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits