CY62187EV30LL-55BAXI

La CY62187EV30LL-55BAXI est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 512K mots par 16 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour fournir More Battery Life™ (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie de 99% lorsque les adresses ne changent pas. Le composant peut également être mis en mode veille lorsqu'il est désélectionné (actif-bas CE1 HIGH ou actif-bas CE2 LOW ou les deux actifs-bas BHE et actifs-bas BLE sont HIGH). Les broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état High-Z lorsqu'elles sont désélectionnées (actif-bas CE1 HIGH ou actif-bas CE2 LOW), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HIGH), l'activation de l'octet haut et l'activation de l'octet bas sont désactivées (actif-bas BHE, actif-bas BLE HIGH), ou pendant une opération d'écriture (actif-bas CE1 LOW, actif-bas CE2 HIGH et actif-bas WE LOW).

• Très grande vitesse: 55ns
• Plage de tension d'utilisation de 2,2V à 3,6V
• Courant de veille maximum de 48µA
• Courant actif de 15mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif-bas CE1, actif-bas CE2 et actif-bas OE
• Arrêt automatique quand désélectionné
• CMOS pour une vitesse et une puissance optimales
• Le VCC pour la conservation des données est de 1,5V
• Boîtiers FBGA 48 billes
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C

Remarques

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.