CY62148ELL-45ZSXI

La CY62148ELL-45ZSXI est une RAM statique CMOS hautes performances organisée en 512 000 mots sur 8 bits. Ce composant est doté d'une conception de circuit avancée pour fournir un courant de veille ultra-faible. Il est idéal pour prolonger la durée de vie de la batterie (MoBL®) dans les applications portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre le circuit en mode veille réduit la consommation électrique de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné (CE HIGH actif à l'état bas). Les huit broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O7) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque le périphérique est désélectionné (actif à l'état bas, CE HAUT), les sorties sont désactivées (actif à l'état bas, OE HAUT) ou pendant une opération d'écriture active (actif-bas CE BAS et actif-bas WE BAS). Ce composant est adapté pour s'interfacer avec des processeurs dotés de niveaux d'entrée TTL.

• Très grande vitesse: 45ns
• Plage de tension de 4,5V à 5,5V
• Brochage compatible avec les CY62148B
• Courant de veille 7µA max. (industriel)
• Courant actif de 3,5mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE actif à l'état bas et OE actif à l'état bas
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Boîtier TSOP II, 32 broches
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C