CY62147EV30LL-45ZSXIT

La CY62147EV30LL-45ZSXIT est une RAM statique (SRAM) CMOS haute performance organisée en 256K mots par 16 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour fournir More Battery Life™ (MoBL®) dans les applications portables telles que les téléphones portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre le composant en mode veille réduit la consommation d'énergie de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné (actif à l'état bas CE HAUT ou actif à l'état bas BLE et actif à l'état bas BHE sont HAUT). Les broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O15) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque le périphérique est désélectionné (actif-bas CE HIGH), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HIGH), l'activation de l'octet haut et l'activation de l'octet bas sont désactivées (actif-bas BHE, actif-bas BLE HIGH) ou pendant une opération d'écriture (actif-bas CE LOW et actif-bas WE LOW).

• Très grande vitesse: 45ns
• Large plage de tension de 2,20V à 3,60V
• Brochage compatible avec les CY62147DV30
• Courant de veille 7µA max. (industriel)
• Courant actif de 3,5mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE actif à l'état bas et OE actif à l'état bas
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Boîtier TSOP Type II, 44 broches
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C