CY62138FV30LL-45ZXI
SRAM, SRAM asynchrone, 2 Mbit, 256K x 8 bits, TSOP-I, 32 Broche(s), 2.2 V
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 2.610 |
| 10+ | CHF 2.310 |
| 25+ | CHF 2.220 |
| 50+ | CHF 2.130 |
| 100+ | CHF 2.050 |
| 250+ | CHF 2.010 |
| 500+ | CHF 1.970 |
Informations produit
Aperçu du produit
La CY62138FV30LL-45ZXI est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 256K mots par 8 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour fournir une durée de vie de la batterie plus longue dans les applications portables telles que les téléphones portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie. Placez le composant en mode veille pour réduire la consommation d'énergie lorsqu'il est désélectionné Pour écrire sur le périphérique, prenez l'activation de la puce et les entrées d'activation à l'état BAS. Les données sur les huit broches d'E/S sont ensuite écrites à l'emplacement spécifié sur la broche d'adresse. Pour lire à partir du périphérique, prenez l'activation de la puce et l'activation de la sortie à l'état BAS, tout en forçant l'activation de l'écriture à l'état HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement mémoire spécifié par les broches d'adresse apparaît sur les broches d'E/S. Les huit broches d'entrée et de sortie sont placées dans un état de haute impédance lorsque le périphérique est désélectionné, que les sorties sont désactivées ou pendant une opération d'écriture.
- Très grande vitesse: 45ns
- Large plage de tension de 2,2V à 3,6V
- Brochage compatible avec les CY62138CV25/30/33
- Consommation de courant ultra-faible en veille: 1µA (typique)
- Puissance active ultra faible avec courant actif typique: 1.6mA à f = 1MHz
- Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités actif à l'état bas CE1, CE2 et OE actif à l'état bas
- Mise hors tension automatique en cas de désélection,
- Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
- Technologie de processus 90nm
- Plage de température de -40°C à 85°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
SRAM asynchrone
256K x 8 bits
32Broche(s)
3.6V
-
-40°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
2Mbit
TSOP-I
2.2V
3V
Montage en surface
85°C
MSL 3 - 168 heures
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit