CY62128ELL-45SXIT

La CY62128ELL-45SXIT est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 128K mots par 8 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour prolonger la durée de vie de la batterie (MoBL®) dans les applications portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre l'appareil en mode veille réduit la consommation d'énergie de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné (actif à l'état bas CE1 HIGH ou actif-bas CE2 LOW). Les huit broches d'entrée et de sortie (I/O0 à I/O7) sont placées dans un état d'impédance élevée lorsque le périphérique est désélectionné (actif-bas CE1 HIGH ou actif-bas CE2 LOW), les sorties sont désactivées (actif-bas OE HIGH) ou une opération d'écriture est en cours (actif-bas CE1 LOW et actif-bas CE2 HIGH et actif-bas WE LOW).

• Très grande vitesse: 45ns
• Plage de tension de 4,5V à 5,5V
• Brochage compatible avec les CY62128B
• Courant de veille 4µA max. (industriel)
• Courant actif de 1,3mA typique à f = 1MHz
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE1 actif à l'état bas, CE2 actif à l'état bas et OE actif à l'état bas
• Mise hors tension automatique en cas de désélection,
• Semi-conducteur à oxyde métallique complémentaire (CMOS) pour une vitesse et une puissance optimales
• Boîtier SOIC moulé, 32 broches 450 mil
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C