CY15B064Q-SXET

La CY15B064Q-SXET est une mémoire non volatile F-RAM automobile de 64Kbits utilisant un processus ferroélectrique avancé. Une F-RAM ou mémoire ferroélectrique à accès aléatoire, non volatile et effectue des lectures et écritures similaires à une RAM. Elle assure une rétention de données fiable pendant 121 ans tout en éliminant les complexités et les problèmes de fiabilité au niveau du système causés par les Flash série, EEPROM ou d'autres mémoires non volatiles. Contrairement à la mémoire flash série et EEPROM, le CY15B064Q effectue des opérations d'écriture à la vitesse du bus. Aucun retard d'écriture ne sont engagés. Les données sont écrites sur une matrice mémoire immédiatement après le transfert réussi de chaque octet vers le composant Le cycle de bus suivant peut commencer sans avoir besoin d'interroger les données. De plus, le produit offre une endurance d'écriture substantielle par rapport aux autres mémoires non volatiles. Le CY15B064Q est capable de prendre en charge 101³ cycles de lecture/écriture, soit 10 millions de fois plus de cycles d'écriture que l'EEPROM.

• Mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) de 64Kbits organisée logiquement en 8K × 8
• Interface périphérique série rapide (SPI), fréquence jusqu'à 16MHz
• Remplacement direct pour les mémoire Flash série et EEPROM
• Supporte le mode SPI 0 (0.0) et Mode 3 (1.1)
• Schéma de protection en écriture sophistiqué (protection matérielle utilisant une broche de protection en écriture basse active (/WP))
• Protection par bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou la totalité du tableau
• Faible consommation Courant actif de 300µA à 1MHz et courant de veille de 6µA (typ) à +85°C
• Plage de tension d'utilisation VDD de 3V à 3,6V
• Conforme à la norme AEC Q100 grade 1
• Boîtier SOIC 8 broches et plage de température automobile de -40°C à +125°C