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BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 150 V, 13 A, 0.09 ohm, TSDSON, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ900N15NS3GATMA1
Code Commande2480789RL
Egalement appeléBSZ900N15NS3 G, SP000677866
Fiche technique
16’906 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.541 |
| 500+ | CHF 0.459 |
| 1000+ | CHF 0.430 |
| 5000+ | CHF 0.358 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 1
CHF 59.10 (sans TVA)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSZ900N15NS3GATMA1
Code Commande2480789RL
Egalement appeléBSZ900N15NS3 G, SP000677866
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds150V
Courant de drain Id13A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.09ohm
Type de boîtier de transistorTSDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance38W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The BSZ900N15NS3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. It achieves a reduction in RDS (ON) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor. This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- MSL1 rated 2
- Increased efficiency
- Highest power density
- Less paralleling required
- Smallest board-space consumption
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target applications
- Halogen-free, Green device
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
13A
Type de boîtier de transistor
TSDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
38W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
150V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.09ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000078