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BSC097N06NSATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 46 A, 9700 µohm, PG-TDSON, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 50+ | CHF 0.804 |
| 250+ | CHF 0.538 |
| 1000+ | CHF 0.369 |
| 3000+ | CHF 0.364 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC097N06NSATMA1
Code Commande2617474
Gamme de produitOptiMOS 5
Egalement appeléBSC097N06NS, SP001067004
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id46A
Résistance Drain-Source à l'état-ON9700µohm
Type de boîtier de transistorPG-TDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.8V
Dissipation de puissance36W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produitOptiMOS 5
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Avertissements
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Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
46A
Type de boîtier de transistor
PG-TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
36W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
9700µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.8V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS 5
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Malaysia
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000256
Traçabilité des produits