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BSC011N03LSTATMA1
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 100 A, 900 µohm, TDSON, Montage en surface
4’857 En Stock
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
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| 10+ | CHF 1.340 |
| 100+ | CHF 0.934 |
| 500+ | CHF 0.790 |
| 1000+ | CHF 0.727 |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantBSC011N03LSTATMA1
Code Commande2986391
Gamme de produitOptiMOS
Egalement appeléBSC011N03LST, SP001657064
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id100A
Résistance Drain-Source à l'état-ON900µohm
Type de boîtier de transistorTDSON
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance115W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Gamme de produitOptiMOS
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
100A
Type de boîtier de transistor
TDSON
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
115W
Température d'utilisation Max.
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
900µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
OptiMOS
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour BSC011N03LSTATMA1
7 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00039
Traçabilité des produits