BGSX22G5A10E6327XTSA1

Le BGSX22G5A10E6327XTSA1 est un commutateur croisé d'antenne DPDT. Le commutateur MOS RF BGSX22G5A10 est spécialement conçu pour les applications à triple antenne LTE et WCDMA. Ce DPDT offre une faible perte d'insertion et une faible génération d'harmoniques associées à une isolation élevée entre les ports RF. Le commutateur est contrôlé via une interface GPIO. Le contrôleur sur puce permet des tensions d'alimentation de 1,65V à 3,4V. Le commutateur dispose d'une fonctionnalité de connexion directe à la batterie et de ports RF sans courant continu. Contrairement à la technologie GaAs, les condensateurs de blocage DC externes au niveau des ports RF ne sont nécessaires que si une tension DC est appliquée en externe. Ce commutateur RF est est fabriqué avec la technologie MOS brevetée d'Infineon, offrant les performances du GaAs avec l'économie et l'intégration du CMOS conventionnel, y compris la robustesse ESD inhérente plus élevée.

• Qualifié pour les applications industrielles selon les tests pertinents de JEDEC47/20/22
• Commutateur croisé d'antenne RF CMOS DPDT avec capacité de gestion de puissance jusqu'à 37dBm
• Perte d'insertion et génération d'harmoniques ultra-faibles
• Interface d'entrée-sortie pour usage général (GPIO) avec isolation port à port élevé
• Aucun condensateur de blocage n'est requis si aucun courant continu n'est appliqué sur les lignes RF
• Aucun blocage d'alimentation requis, haute robustesse EMI
• Courant d'alimentation de 55µA typ. à TA = -40 à 85°C, PIN = 0dBm, Tension d'alimentation VDD = 1,65V à 3,4V
• Couverture de 0,1 à 6,0 GHz
• Boîtier ATSLP-10-50
• Température d'utilisation ambiante de -40 à 85°C

Avertissements

Des contraintes supérieures aux valeurs maximales indiquées ici peuvent entraîner des dommages permanents à l'appareil.