BGA5H1BN6E6327XTSA1

Le BGA5H1BN6E6327XTSA1 est un amplificateur à gain élevé et faible bruit pour la bande haute LTE. Le débit de données LTE peut être considérablement amélioré en utilisant l'amplificateur faible bruit. Le composant dispose d'un contrôle à deux états sur une seule ligne (mode Bypass et mode gain élevé). L'état OFF peut être activé en mettant VCC hors tension. La fonction de contournement intégrée augmente la plage dynamique globale du système et conduit à plus de flexibilité dans le front-end RF. En mode gain élevé, le LNA offre le meilleur facteur de bruit pour garantir des débits de données élevés même sur le bord de la cellule LTE. Plus près de la station de base, le mode bypass peut être activé, réduisant ainsi la consommation de courant.

• Qualifié pour les applications industrielles selon les tests pertinents de JEDEC47/20/22
• Sortie RF adaptée en interne à 50 ohms
• Faible nombre de composants externes
• Technologie silicium-germanium B9HF
• Tension d'alimentation de 1,5 à 3,6V à TA = 25°C, VCC = 1,8V, VC, BP ​​= 1,8V, VC, OFF = 0V, f = 2300-2690MHz
• Gain de puissance d'insertion de 18,1dB typique en mode gain élevé, f = 2500MHz, VCC = 1,8V
• Gamme de fréquence de 2300 à 2690MHz
• Courant d'alimentation de 8,5mA (mode gain élevé, TA = 25°C, VCC = 1,8V, VC, BP ​​= 1,8V, VC, OFF = 0V, f = 2 300-2 690MHz)
• Boîtier ultra-compact sans plomb TSNP-6-10
• Température d'utilisation ambiante de -40 à 85°C

Avertissements

Des contraintes supérieures aux valeurs maximales indiquées ici peuvent entraîner des dommages permanents à l'appareil.