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Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
1+ | CHF 1.620 |
10+ | CHF 1.180 |
50+ | CHF 1.080 |
100+ | CHF 0.958 |
250+ | CHF 0.901 |
500+ | CHF 0.868 |
1000+ | CHF 0.839 |
2500+ | CHF 0.827 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le 1EDB7275FXUMA1 est un circuit intégré de commande de grille isolée monocanal de la série EiceDRIVER™ 1EDBx275F dans un boîtier DSO de 150 mil. Il s'agit d'un circuit intégré de commande de grille isolée à canal unique conçu pour piloter des commutateurs de puissance Si, SiC et GaN. Le 1EDB7275FXUMA1 est disponible dans un boîtier DSO à 8 broches avec une distance de fuite entrée-sortie de 4mm, il fournit une isolation au moyen de la technologie de transformateur sans noyau (CT) sur puce. Le 1EDB7275FXUMA1 est disponible dans un boîtier DSO à 8 broches avec une distance de fuite entrée-sortie de 4mm, il fournit une isolation au moyen de la technologie de transformateur sans noyau (CT) sur puce. Excellent rejet en mode commun, une faible distorsion de partie à partie, une propagation rapide du signal et une petite taille de boîtier font du 1EDBx275F une alternative supérieure aux solutions de pilotage côté haut utilisant des optocoupleurs ou des transformateurs d'impulsions.
- Courant crête source/puits 5A/9A, 4,2V/3,9V UVLO ON/OFF
- Certification d'isolement UL 1577 (VISO = 3000 VRMS)
- Délai de propagation entrée-sortie 45ns avec une excellente précision (+6/-4ns)
- Sorties source et puits faible impédance séparées
- Blocage rapide des dépassements de sortie induits par des parasites dans des conditions UVLO
- Temps de démarrage et de récupération rapides après des problèmes d'approvisionnement
- Niveaux UVLO optimisés (4V, 8V, 12V, 15V) pour les transistors Si, SiC et GaN
- Haute immunité aux transitoires de mode commun (CMTI > 300V/ns)
- Entièrement qualifié selon JEDEC pour les applications industrielles
- Température de jonction de -40 à 150°C
Spécifications techniques
1Canal(aux)
High Side
8Broche(s)
Montage en surface
5.4A
3V
-40°C
45ns
-
MSL 3 - 168 heures
Isolé
GaN, Si MOSFET, SiC MOSFET
SOIC
Inverseur, Non inverseur
9.8A
15V
125°C
45ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit