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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantFZT853
Code Commande9526331
Fiche technique
Polarité transistorNPN
Tension Collecteur Emetteur Max100V
Courant Collecteur Continu6A
Dissipation de puissance3W
Type de boîtier de transistorSOT-223
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches4Broche(s)
Fréquence de transition130MHz
Gain de courant DC hFE Min.100hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FZT853 est un transistor planaire en silicium NPN 100V à courant élevé (haute performance) dans un boîtier SOT223 à 4 broches.
- Résistance équivalente à l'état passant RCE(sat) extrêmement faible, 44 mohm à 5A
- Courant continu de 6A, courant crête jusqu'à 10A
- Très faible tension de saturation
- Excellentes caractéristiques hFE spécifiées jusqu'à 10A
- Puissance dissipée 3W
- Température d'utilisation de -55 à +150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
NPN
Courant Collecteur Continu
6A
Type de boîtier de transistor
SOT-223
Nbre de broches
4Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
100hFE
Gamme de produit
-
MSL
-
Tension Collecteur Emetteur Max
100V
Dissipation de puissance
3W
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
130MHz
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00012
Traçabilité des produits