Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
4’742 En Stock
Vous en voulez davantage ?
.
.
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.210 |
| 500+ | CHF 0.153 |
| 1500+ | CHF 0.116 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 100
Multiple: 5
CHF 26.00 (sans TVA)
Des frais de mise en bobine de CHF 5.00 seront appliqués pour ce produit
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantFMMT558TA
Code Commande3127391RL
Fiche technique
Polarité transistorPNP
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo400V
Tension Collecteur Emetteur Max400V
Courant Collecteur Continu150mA
Courant de collecteur DC150mA
Dissipation de puissance500mW
Dissipation de puissance Pd500mW
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Nbre de broches3Broche(s)
Fréquence de transition50MHz
Gain de courant DC hFE Min.100hFE
Gain en courant DC hFE100hFE
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Normes Qualification Automobile-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le FMMT558TA est un transistor haute tension PNP.
- Dissipation de puissance 500mW à TA = +25°C
- Excellentes caractéristiques hFE jusqu'à -100mA
- La tension collecteur-base/tension collecteur-émetteur est de -400V à TA = +25°C
- Tension Émetteur-Base de -7V à TA = +25°C
- Courant continu du collecteur de -150mA à TA = +25°C
- Courant d'impulsion crête -500mA à TA = +25°C
- Courant de base de -200mA à TA = +25°C
- Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +150°C
- Boîtier SOT23 (type DN)
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Polarité transistor
PNP
Tension Collecteur Emetteur Max
400V
Courant de collecteur DC
150mA
Dissipation de puissance Pd
500mW
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition
50MHz
Gain en courant DC hFE
100hFE
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur-Emetteur V(br)ceo
400V
Courant Collecteur Continu
150mA
Dissipation de puissance
500mW
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Nbre de broches
3Broche(s)
Gain de courant DC hFE Min.
100hFE
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000197