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DMP4065S-7
MOSFET de puissance, Canal P, 40 V, 2.4 A, 0.08 ohm, SOT-23, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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|---|---|
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| 50+ | CHF 0.191 |
| 100+ | CHF 0.117 |
| 500+ | CHF 0.111 |
| 1500+ | CHF 0.103 |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMP4065S-7
Code Commande3127368
Fiche technique
Type de canalCanal P
Tension Drain-Source Vds40V
Courant de drain Id2.4A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.08ohm
Type de boîtier de transistorSOT-23
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance720mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
Le DMP4065S-7 est un MOSFET à mode d'amélioration, canal P. Ce MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité. Les applications typiques sont la charge de batterie, les fonctions de gestion d'alimentation, les convertisseurs DC-DC et les adaptateurs d'alimentation portables.
- Faible résistance à l'état passant, faible capacité d'entrée
- Vitesse de commutation rapide, faible fuite d'entrée/sortie
- Tension Drain-Source de -40V à TA = +25°C
- Tension Grille-Source ±20V à TA = +25°C
- Courant Drain continu de -2,4A à TC = +25°C, état stable, VGS = -10V
- Courant de drain pulsé de -20A à TA = +25°C
- Dissipation de puissance totale de 0,72W
- Résistance statique drain-source de 80mohm max. (VGS = -10V, ID = -4,2A, TA = +25°C)
- Boîtier SOT23 (standard)
- Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +150°C
Spécifications techniques
Type de canal
Canal P
Courant de drain Id
2.4A
Type de boîtier de transistor
SOT-23
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
720mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
40V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.08ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
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Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00185