Vous en voulez davantage ?
Quantité | Prix (hors TVA) |
---|---|
250+ | CHF 0.0701 |
1000+ | CHF 0.050 |
5000+ | CHF 0.0456 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le DMN62D0U-13 est un MOSFET à mode d'amélioration, canal N. Ce MOSFET est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant (RDS(ON)) tout en maintenant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haute efficacité. Les applications typiques sont les commandes de moteur, les fonctions de gestion d'alimentation et le rétroéclairage.
- Faible résistance à l'état passant, faible capacité d'entrée, protection ESD jusqu'à 1kV
- Vitesse de commutation rapide, faible fuite d'entrée/sortie
- Tension Drain-Source de 60V à TA = +25°C
- Tension Grille-Source ±20V à TA = +25°C
- Courant Drain continu de 380mA à TA = +25°C, VGS = 4,5V, régime permanent
- Courant Drain pulsé (impulsion de 10µs, rapport cyclique = 1%) de 1,2A à TA = +25°C
- Dissipation de puissance total de 380mW à TA= +25°C
- Courant direct continu max. de la diode du corps 0,4A à TA = +25°C.
- Boîtier SOT23
- Plage de température d'utilisation et de stockage de -55 à +150°C
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Canal N
60V
1.2ohm
SOT-23
4.5V
380mW
3Broche(s)
-
-
No SVHC (27-Jun-2024)
Canal N
380mA
2ohm
Montage en surface
1V
380mW
150°C
-
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour DMN62D0U-13
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit