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DMN3070SSN-7
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 4.2 A, 0.024 ohm, SC-59, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.369 |
| 10+ | CHF 0.241 |
| 100+ | CHF 0.128 |
| 500+ | CHF 0.123 |
| 1000+ | CHF 0.118 |
| 5000+ | CHF 0.114 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3070SSN-7
Code Commande3943599
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id4.2A
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.024ohm
Type de boîtier de transistorSC-59
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2.1V
Dissipation de puissance780mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
4.2A
Type de boîtier de transistor
SC-59
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
780mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.024ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2.1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000001
Traçabilité des produits