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DMN3009LFVQ-13
MOSFET de puissance, Canal N, 30 V, 60 A, 3500 µohm, PowerDI 3333, Montage en surface
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| 500+ | CHF 0.276 |
| 1000+ | CHF 0.270 |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN3009LFVQ-13
Code Commande3702794RL
Fiche technique
Type de canalCanal N
Polarité transistorCanal N
Tension Drain-Source Vds30V
Courant de drain Id60A
Résistance Rds(on)0.0035ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON3500µohm
Type de boîtier de transistorPowerDI 3333
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max3V
Dissipation de puissance2W
Dissipation de puissance Pd2W
Nbre de broches8Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
QualificationAEC-Q101
Normes Qualification AutomobileAEC-Q101
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Tension Drain-Source Vds
30V
Résistance Rds(on)
0.0035ohm
Type de boîtier de transistor
PowerDI 3333
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
2W
Nbre de broches
8Broche(s)
Gamme de produit
-
Normes Qualification Automobile
AEC-Q101
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
60A
Résistance Drain-Source à l'état-ON
3500µohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
3V
Dissipation de puissance Pd
2W
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits