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DMN2991UT-13
MOSFET de puissance, Canal N, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Montage en surface
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.334 |
| 10+ | CHF 0.185 |
| 100+ | CHF 0.125 |
| 500+ | CHF 0.0916 |
| 1000+ | CHF 0.0621 |
| 5000+ | CHF 0.0609 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantDMN2991UT-13
Code Commande3702793
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds20V
Courant de drain Id300mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.4ohm
Type de boîtier de transistorSOT-523
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)4.5V
Tension de seuil Vgs Max1V
Dissipation de puissance430mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
300mA
Type de boîtier de transistor
SOT-523
Tension de test Rds(on)
4.5V
Dissipation de puissance
430mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
Tension Drain-Source Vds
20V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.4ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
1V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits