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BC847BS-7-F
Réseau de transistors bipolaires, Double NPN, 45 V, 100 mA, 200 mW
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
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| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.194 |
| 50+ | CHF 0.118 |
| 100+ | CHF 0.073 |
| 500+ | CHF 0.0536 |
| 1500+ | CHF 0.0425 |
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Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. FabricantBC847BS-7-F
Code Commande1773587
Fiche technique
Polarité transistorDouble NPN
Tension Collecteur Emetteur Max NPN45V
Tension Collecteur Emetteur Max PNP-
Courant de collecteur continu NPN100mA
Courant de collecteur continu PNP-
Dissipation de puissance NPN200mW
Dissipation de puissance PNP-
Gain de courant DC hFE Min NPN200hFE
Gain de courant DC hFE Min PNP-
Type de boîtier de transistorSOT-363
Nbre de broches6Broche(s)
Montage transistorMontage en surface
Température d'utilisation Max.150°C
Fréquence de transition NPN100MHz
Fréquence de transition PNP-
Gamme de produit-
Qualification-
MSL-
Aperçu du produit
BC847BS-7-F is a dual NPN transistor for switching and AF amplifier application.
- Ultra-small surface mount package
- Power dissipation is 200mW at TA = +25°C
- Collector-base breakdown voltage is 50V min at IC = 100µA, IB = 0, TA = +25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 45V min at IC = 10mA, IB = 0, TA = +25°C
- Emitter-base breakdown voltage is 6V min at IE = 100µA, IC = 0, TA = +25°C
- Gain bandwidth product is 100MHz min at VCE = 5.0V, IC = 10mA, f = 100MHz, TA = +25°C
- SOT363 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Spécifications techniques
Polarité transistor
Double NPN
Tension Collecteur Emetteur Max PNP
-
Courant de collecteur continu PNP
-
Dissipation de puissance PNP
-
Gain de courant DC hFE Min PNP
-
Nbre de broches
6Broche(s)
Température d'utilisation Max.
150°C
Fréquence de transition PNP
-
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Collecteur Emetteur Max NPN
45V
Courant de collecteur continu NPN
100mA
Dissipation de puissance NPN
200mW
Gain de courant DC hFE Min NPN
200hFE
Type de boîtier de transistor
SOT-363
Montage transistor
Montage en surface
Fréquence de transition NPN
100MHz
Gamme de produit
-
MSL
-
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000008
Traçabilité des produits