Imprimer la page
2N7002T-7-F
MOSFET de puissance, Canal N, 60 V, 115 mA, 7.5 ohm, SOT-523, Montage en surface
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
5’161 En Stock
3’000 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
.
.
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.322 |
| 50+ | CHF 0.148 |
| 100+ | CHF 0.0948 |
| 500+ | CHF 0.0735 |
| 1500+ | CHF 0.0578 |
Prix pour :Pièce (fournie en bande découpée)
Minimum: 5
Multiple: 5
CHF 1.61 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantDIODES INC.
Réf. Fabricant2N7002T-7-F
Code Commande1713827
Fiche technique
Type de canalCanal N
Tension Drain-Source Vds60V
Courant de drain Id115mA
Résistance Drain-Source à l'état-ON7.5ohm
Type de boîtier de transistorSOT-523
Montage transistorMontage en surface
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max2V
Dissipation de puissance150mW
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.150°C
Gamme de produit-
Qualification-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Aperçu du produit
Le 2N7002T-7-F est un MOSFET à mode d'enrichissement, canal N avec boîtier en plastique moulé et étain mat recuit sur des bornes en alliage 42 selon la norme MIL-STD-202. Il est conçu pour minimiser la résistance à l'état passant RDS (ON) tout en conservant des performances de commutation supérieures, ce qui le rend idéal pour les applications de gestion de l'alimentation à haut rendement.
- Faible résistance "ON"
- Faible tension de seuil de porte
- Faible capacitance d'entrée
- Vitesse de commutation rapide
- Faible fuite Entrée/Sortie
- Boîtier ultra-petit montage en surface
- Sans halogène, Produit vert
- Sensibilité de condensation de niveau 1 conforme J-STD-020
- Indice d'inflammabilité UL94V-0
Avertissements
La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.
Spécifications techniques
Type de canal
Canal N
Courant de drain Id
115mA
Type de boîtier de transistor
SOT-523
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance
150mW
Température d'utilisation Max.
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Tension Drain-Source Vds
60V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
7.5ohm
Montage transistor
Montage en surface
Tension de seuil Vgs Max
2V
Nbre de broches
3Broche(s)
Gamme de produit
-
MSL
MSL 1 - Illimité
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :China
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.000002
Traçabilité des produits