S29GL01GT10TFI010

La S29GL01GT10TFI010 est une mémoire flash GL-T MIRRORBIT™ parallèle 1Go (128Mo) et 3,0V. Ce composant offre un temps d'accès aux pages aussi rapide que 15ns, avec un temps d'accès aléatoire correspondant aussi rapide que 100ns. Elle dispose d'un buffer d'écriture qui permet de programmer un maximum de 256 mots / 512 octets en une seule opération, ce qui se traduit par un temps de programmation effectif plus rapide que les algorithmes de programmation standard. Cela rend le composant idéal pour les applications embarquées d'aujourd'hui qui nécessitent une densité plus élevée, de meilleures performances et une consommation d'énergie plus faible.

• Vitesse d'accès aléatoire 100ns, fabriqué selon la technologie de processus 45nm
• VIO=VCC=2,7V à 3,6V, secteur d'adresse le plus élevé protégé CFI Version 1.5
• Alimentation simple (VCC) pour lecture/programmation/effacement (2,7V à 3,6V)
• Fonctionnalité d'E/S polyvalente - Large plage de tension d'E/S (VIO) 1,65V à VCC
• Bus de données ×8/×16, lecture de page asynchrone de 32 octets
• Vérification et correction automatiques des erreurs (ECC) matériel interne avec correction d'erreur sur un seul bit
• Suspendre et reprendre les commandes pour les opérations de programmation et d'effacement
• Registre d'état, interrogation des données et méthodes de broche prêt/occupé pour déterminer l'état de l'appareil
• 100 000 cycles de programmation/effacement, conservation des données pendant 20 ans
• Boîtier TSOP, plage de température industrielle -40°C à +85°C