CY7C1011DV33-10ZSXIT

La CY7C1011DV33-10ZSXIT est une RAM statique CMOS haute performance organisée en 128K mots par 16 bits. L'écriture sur le périphérique s'effectue en prenant les entrées Chip Enable (actif-bas CE) et Write Enable (actif-bas WE) sur BAS. Si l'octet Enable BAS (BLE actif à l'état bas) est bas, les données des broches d'E/S (E/S0 à E/S7) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A16). Si l'octet Enable HAUT (BHE actif à l'état bas) est bas, les données des broches d'E/S (E/S8 à E/S15) sont écrites à l'emplacement spécifié sur les broches d'adresse (A0 à A16). (actif-bas OE) BAS tout en forçant l'activation d'écriture (WE) HAUT. Si Byte Low Enable (BLE actif-bas) est BAS, les données de l'emplacement mémoire spécifié par les broches d'adresse apparaîtront sur I/O0 à I/O7. Si Byte High Enable (BHE) est BAS, les données de la mémoire apparaîtront sur les E/S8 à E/S15.

• Conservation des données à 2,0V, mise hors tension automatique lorsque désélectionnée
• Contrôle indépendant des bits supérieurs et inférieurs
• Extension de mémoire facile avec les fonctionnalités CE active-bas et OE active-bas
• Densité de 2 Mbits, largeur de données 16 bits, technologie de processus 90nm, plage de tension de 3V à 3,6V
• Vitesse de 10ns, courant de fuite d'entrée de +1µA maxi à (GND < VI < VCC)
• Courant de fuite de sortie de +1µA maximum à (GND < VOUT < VCC, sortie désactivée)
• Courant d'alimentation de fonctionnement VCC de 90mA typ. à (VCC = Max, f = fMAX = 1/tRC, 100MHz)
• Capacité d'entrée de 8pF max. à (TA = 25°C, f = 1MHz, VCC = 3.3V)
• Brochage et fonctions compatibles avec les CY7C1011CV33
• Plage de température industrielle de -40°C à +85°C, Boîtier TSOP, 44 broches

Avertissements

La forte demande du marché pour ce produit, entraîné une augmentation des délais. Les dates de livraison peuvent varier. Produit exempt de remises.