CY62128ELL-45SXI

La CY62128ELL-45SXI est une mémoire à accès aléatoire statique (SRAM) CMOS haute performance de 1Mo organisée en mots de 128Ko en 8 bits. Ce composant présente une conception de circuit avancée pour fournir un courant actif ultra faible. Il est idéal pour prolonger la durée de vie de la batterie (MoBL®) dans les applications portables. Le composant dispose également d'une fonction de mise hors tension automatique qui réduit considérablement la consommation d'énergie lorsque les adresses ne basculent pas. Mettre l'appareil en mode veille réduit la consommation d'énergie de plus de 99% lorsqu'il est désélectionné. Les huit broches d'entrée et de sortie sont placées dans un état de haute impédance lorsque l'appareil est désélectionné, les sorties sont désactivées ou une opération d'écriture est en cours. Pour écrire sur le périphérique, prenez l'activation de la puce et les entrées d'activation à l'état BAS. Pour lire à partir du périphérique, prenez l'activation de la puce et l'activation de la sortie à l'état BAS, tout en forçant l'activation de l'écriture à l'état HAUT. Dans ces conditions, le contenu de l'emplacement mémoire spécifié par les broches d'adresse apparaît sur les broches d'E/S.

• Très grande vitesse - 45ns
• Compatible broche à broche avec les CY62128B
• Alimentation de secours ultra-lente
• Puissance active ultra faible
• Extension de mémoire facile avec CE1, CE2 et OE
• Arrêt automatique quand désélectionné
• CMOS pour une vitesse/puissance optimale