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IXFN180N25T
Transistor MOSFET, Canal N, 168 A, 250 V, 0.0129 ohm, 10V, 5 V, SOT-227B
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN180N25T
Code Commande3438386
Gamme de produitGigaMOS
Fiche technique
Plus stocké
Informations produit
FabricantIXYS SEMICONDUCTOR
Réf. FabricantIXFN180N25T
Code Commande3438386
Gamme de produitGigaMOS
Fiche technique
Polarité transistorCanal N
Type de canalCanal N
Courant de drain Id168A
Tension Vds max..250V
Résistance Rds(on)0.0129ohm
Résistance Drain-Source à l'état-ON0.0129ohm
Tension de test Rds(on)10V
Tension de seuil Vgs Max5V
Dissipation de puissance Pd900W
Dissipation de puissance900W
Température de fonctionnement max..150°C
Gamme de produitGigaMOS
SVHCNo SVHC (12-Jan-2017)
Spécifications techniques
Polarité transistor
Canal N
Courant de drain Id
168A
Résistance Rds(on)
0.0129ohm
Tension de test Rds(on)
10V
Dissipation de puissance Pd
900W
Température de fonctionnement max..
150°C
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Type de canal
Canal N
Tension Vds max..
250V
Résistance Drain-Source à l'état-ON
0.0129ohm
Tension de seuil Vgs Max
5V
Dissipation de puissance
900W
Gamme de produit
GigaMOS
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (12-Jan-2017)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.004
Traçabilité des produits