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Quantité | Prix (hors TVA) |
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1+ | CHF 14.780 |
10+ | CHF 11.760 |
25+ | CHF 11.000 |
100+ | CHF 9.370 |
250+ | CHF 9.000 |
Informations produit
Aperçu du produit
Le MAX5054BATA+T est un driver de MOSFET, double source, haute vitesse et absorbe un courant de crête jusqu'à 4A. Ce composant présente un délai de propagation rapide de 20ns et des temps de montée et de descente de 20ns tout en pilotant une charge capacitive de 5 000pF. Le temps de retard de propagation est minimisé et adapté entre les entrées inverseuses et non inverseuses et entre les canaux. Des courants crête de source/descente élevés, un faible délai de propagation et des boîtiers thermiquement améliorés rendent le dispositif idéal pour les circuits haute fréquence et haute puissance. Ce composant dispose d'un circuit logique interne qui empêche les transmissions lors des changements d'état de sortie afin de minimiser le courant de fonctionnement à une fréquence de commutation élevée. Les entrées logiques sont protégées contre les pointes de tension jusqu'à +18V, quelle que soit la tension VDD. Il est utilisé dans des applications telles que la commutation MOSFET de puissance, la commande de moteur, les alimentations à découpage, les modules d'alimentation et les convertisseurs DC-DC.
- Plage d'alimentation simple 4V à 15V
- Courant de sortie crête (absorption) de 4A typ. à (VDD = 15V, CL = 10 000pF)
- Délai de correspondance entre les entrées inverseuses et non inverseuses
- Correspondance du délai de propagation entre deux canaux
- Entrées logiques VDD/2CMOS, entrées logiques TTL
- Hystérésis d'entrée logique 0,1 x VDD (CMOS) et 0,3V (TTL)
- Entrées logiques jusqu'à +18V (indépendamment de la tension VDD)
- Faible capacité d'entrée de 2.5pF typique
- Courant de repos 40µA typique à (VDD = 4V à 15V, TA = -40°C à +125°C)
- Température d'utilisation de −40°C à +125°C, Boîtier TDFN-EP, 8 broches
Remarques
Les produits ADI sont autorisés (et vendus) uniquement pour une utilisation par le client et ne doivent pas être revendus ou transmis d'aucune manière à une tierce partie.
Spécifications techniques
2Canal(aux)
-
8Broche(s)
Montage en surface
4A
4V
-40°C
20ns
-
No SVHC (21-Jan-2025)
-
MOSFET
TDFN-EP
Inverseur, Non inverseur
4A
15V
125°C
20ns
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
RoHS
RoHS
Certificat de conformité du produit